復(fù)合材料成型過(guò)程中應(yīng)使用脫模劑，電暈處理的應(yīng)用范圍以保證固化成型后能與模具有效分離。但脫模劑的使用不可避免地會(huì)在復(fù)合材料薄膜表面留下多余的脫模劑，造成待涂覆表面污染，產(chǎn)生弱界面層，使涂覆后的涂層容易脫落。。等離子體清洗技術(shù)自問(wèn)世以來(lái)，隨著電子等工業(yè)的快速發(fā)展，其應(yīng)用逐漸增多，用于等離子體清洗、活化、改性和蝕刻以提高附著力等。目前，等離子體清洗技術(shù)已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體和光電行業(yè)，包括集成電路、半導(dǎo)體、醫(yī)療等。

陰極濺射同時(shí)進(jìn)行，薄膜電暈處理的應(yīng)用要點(diǎn)為沉積的薄膜提供了一個(gè)具有良好活性的清潔表面。因此，整個(gè)沉積過(guò)程明顯不同于單獨(dú)的熱活化過(guò)程。它們之間的相互作用為提高涂層附著力、降低沉積溫度、加快反應(yīng)速度創(chuàng)造了有利條件。根據(jù)等離子體源的類(lèi)型，等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)可分為直流輝光放電、射頻放電和微波等離子體放電。當(dāng)CVD反應(yīng)頻率增加時(shí)，等離子體對(duì)CVD反應(yīng)的增強(qiáng)作用更明顯，化合物形成的溫度降低。

科學(xué)家預(yù)測(cè)，電暈處理的應(yīng)用21世紀(jì)低溫等離子體科學(xué)技術(shù)將出現(xiàn)突破性進(jìn)展，在半導(dǎo)體工業(yè)、聚合物薄膜、生命科學(xué)、等離子體合成、等離子體三廢處理等領(lǐng)域，低溫等離子體清洗機(jī)、等離子體處理器、等離子體表面處理設(shè)備與傳統(tǒng)工藝相比將發(fā)生革命性變化。

等離子體清洗技術(shù)的關(guān)鍵是低溫等離子體的應(yīng)用，電暈處理的應(yīng)用范圍低溫等離子體的應(yīng)用主要依賴(lài)于高溫、高頻、高能量等外界條件。它是一種電中性的、高能的、完全或部分電離的氣態(tài)物質(zhì)。低溫等離子體的能量約為幾十電子伏特，其中包含的離子、電子、自由基、紫外線等活性粒子很容易與固體表面的污染物分子發(fā)生反應(yīng)，使其脫離，從而達(dá)到清洗效果。同時(shí)，由于低溫等離子體的能量遠(yuǎn)低于高能射線，該技術(shù)只觸及數(shù)據(jù)表面，對(duì)數(shù)據(jù)矩陣的功能沒(méi)有影響。

薄膜電暈處理的應(yīng)用要點(diǎn)

等離子體處理器在醫(yī)療行業(yè)中的應(yīng)用；在化學(xué)相容性或化學(xué)鍵合過(guò)程中，強(qiáng)界面力可以增強(qiáng)兩表面之間的粘附力。高分子聚合物具有低能或中能表面能，很難在其表面粘合或包覆。氧等離子體處理使聚丙烯的表面張力由29dyn/cm提高到72dyn/cm。其他材料的表面可通過(guò)活化處理進(jìn)行硝化、氨化或氟化處理。應(yīng)用等離子體表面改性可形成胺、羥基、羰基、羧基等官能團(tuán)，提高界面附著力。

可以說(shuō)，等離子清洗技術(shù)更適合汽車(chē)工業(yè)的發(fā)展。預(yù)處理工藝很精細(xì)，用氟利昂清洗不僅浪費(fèi)資源，而且成本很高。等離子體表面處理技術(shù)的應(yīng)用避免了化學(xué)使用的弊端，能更好地適應(yīng)現(xiàn)代醫(yī)學(xué)科技的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。光電子設(shè)備和一些光電產(chǎn)品對(duì)清洗技術(shù)要求很高，等離子體表面處理技術(shù)在該領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。等離子清洗機(jī)表面處理技術(shù)可應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域，對(duì)物體的處理不僅可以是清洗，還可以是腐蝕、灰化、表面活化和涂層。

單電極因其離子和電子能量高，在射頻低溫等離子體中處理范圍廣，可設(shè)計(jì)成多種形狀，特別適用于各種二維和三維高分子材料的表面改性。經(jīng)低溫等離子體表面處理后，材料表面會(huì)發(fā)生許多物理和化學(xué)變化，或刻蝕（肉眼很難看到），或形成致密的交聯(lián)層，或引入含氧極性基團(tuán)，分別提高親水性、粘附性、親和性、生物相容性和電學(xué)性能。

采用不同功率的等離子體處理ITO，大大提高了ITO的功函數(shù)，優(yōu)化了器件的性能。有機(jī)電致發(fā)光器件（OLEDs）以其自發(fā)光、高亮度、大視角等優(yōu)點(diǎn)在顯示和照明領(lǐng)域備受青睞，具有巨大的應(yīng)用前景。銦錫氧化物(ITO)導(dǎo)電薄膜因其良好的導(dǎo)電性和可見(jiàn)光范圍內(nèi)的高透過(guò)率而廣泛應(yīng)用于光電領(lǐng)域，在有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域常被用作OLED的陽(yáng)極材料。

薄膜電暈處理的應(yīng)用要點(diǎn)

如何用人工方法制造等離子體除了現(xiàn)有的等離子體外，薄膜電暈處理的應(yīng)用要點(diǎn)在一定范圍內(nèi)還可以用人工方法制造等離子體。1927年，當(dāng)汞蒸氣在高壓電場(chǎng)中放電時(shí)，等離子體首次被研究人員發(fā)現(xiàn)。后來(lái)的發(fā)現(xiàn)是，低壓下的氣態(tài)物質(zhì)可以通過(guò)各種形式轉(zhuǎn)化為等離子體，如電弧放電、輝光放電、激光、火焰或沖擊波等。